时间:2022-06-30|浏览:182251
据报道,三星正处于可用于开采比特币的 3nm 代工工艺的试生产阶段。
第一个客户将是中国ASIC制造商PanSemi,未来高通也可能参与其中。
3nm 代工工艺可以使芯片具有更低的功耗、更高的速度和更多的晶体管数量。
据报道,三星本周将开始试生产用于专用集成电路 (ASIC) 的三纳米 (3nm) 芯片——这是挖掘比特币的最高效机器。
据报道,三星的第一个客户是一家名为 PanSemi 的中国 ASIC 公司,该公司设计用于挖掘比特币的 ASIC。同样,三星最大的客户高通公司也保留了利用新制造工艺的机会,据报道,高通公司可以随时选择加入,但并未承诺。
此前,高通曾订购 4nm 芯片,但由于三星出人意料地缺乏生产而在今年 2 月被取消。这导致高通依赖另一家公司——台积电(TSMC)。
三星的最新产品被称为全方位门 (GAA),顾名思义,它将在所有四个表面上都有门。到目前为止,商业上最成功的工艺是 FinFET,它只使用了三个表面而不是四个。据报道,这种升级使栅极更窄,并允许更精确地控制电流。报告表明,如果试生产成功,这可能会导致面积减少 45%,效率提高 30%。
此外,Tech Monitor报道称,台积电的 3nm 工艺将缩小半导体的尺寸,从而使功耗降低多达 30%,速度提高多达 15%,同时晶体管密度增加 33%——这使得硬件更强大。
尽管该报告来自去年,但了解这一进步可能对该技术产生的影响仍然很有价值。
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